Loại thiết kế: 13003
Chất liệu Transistor: Si
Phân cực: NPN
Tản điện tối đa của bộ thu (Pc): 30 W
Điện áp đế cực đại |Vcb|: 700 V
Điện áp cực đại Collector-Emitter |Vce|: 400 V
Điện áp cơ sở bộ phát tối đa |Veb|: 9 V
Dòng Collector tối đa |Ic max|: 1,5 A
tối đa. Nhiệt độ tiếp giáp vận hành (Tj): 150 °C
Tỷ lệ truyền chuyển tiếp hiện tại (hFE), MIN: 10
Hình tiếng ồn, dB:-
Gói: TO-220