Thông tin kỹ thuật chi tiết sò transistor NJW0281G như sau :
Loại Thiết kế: NJW0281G
Chất liệu của Transistor: Si
Độ lệch: NPN
Công suất thu phân cực đại (Pc): 150 W
Tối đa Collector-Base Voltage | VCB |: 250 V
Điện áp cực đại Collector-Emitter | Vce |: 250 V
Áp suất điện áp cực đại | Veb |: 5 V
Tối đa bộ sưu tập hiện tại | Ic max |: 15 A
Tối đa Nhiệt độ đường ống hoạt động (Tj): 150 ° C
Tần số chuyển đổi (ft): 30 MHz
Dung tích Collector (Cc): 400 pF
Tỷ lệ chuyển tiếp hiện tại (hFE), MIN: 75
Hình ồn, dB: –
Gói: TO3P
Thông tin kỹ thuật chi tiết sò transistor NJW0302G như sau :
Loại Thiết kế: NJW0302G
Chất liệu của Transistor: Si
Độ cân bằng: PNP
Công suất thu phân cực đại (Pc): 150 W
Tối đa Collector-Base Voltage | VCB |: 250 V
Điện áp cực đại Collector-Emitter | Vce |: 250 V
Áp suất điện áp cực đại | Veb |: 5 V
Tối đa bộ sưu tập hiện tại | Ic max |: 15 A
Tối đa Nhiệt độ đường ống hoạt động (Tj): 150 ° C
Tần số chuyển đổi (ft): 30 MHz
Dung tích Collector (Cc): 400 pF
Tỷ lệ chuyển tiếp hiện tại (hFE), MIN: 75
Hình ồn, dB: –
Gói: TO3P