Loại bóng bán dẫn: MOSFET
Loại kênh điều khiển: N-Kênh
Công suất tiêu tán tối đa (Pd): 30 W
Điện áp đánh thủng | Vds |: 80 V
Điện áp | Vss |: 25 V
Điện áp ngưỡng | Vss (th) |: 4 V
Cường độ dòng | Id |: 75 A
Nhiệt độ (Tj): 175 ° C
Thời gian tăng (tr): 22 nS
Điện dung nguồn xả (Cd): 1100 pF
Điện trở kháng (Rds): 0,0048 Ohm