Hãng sản xuấtSamSung
ModelMZ-75E500B/AM
Dung lượng500GB
Chip điều khiểnSamsung MGX Controller
Chip nhớ NAND FlashSamsung 32 layer 3D V-NAND
Bộ nhớ đệmSamsung 512 MB Low Power DDR3 SDRAM
Kích Thước99.7 x 69.75 x 7mm
Tốc độ đọc tối đalên tới 540MB/ giây
Tốc độ ghi tối đalên tới 520MB / giây
Điện năng tiêu thụ (hoạt động/nghỉ)3W / 50mW
Hỗ trợTRIM - RAID, Mã hóa 256-Bit AES, TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
Tuổi thọ2 triệu giờ
Chi tiết sản phẩm| Ổ cứng trong / ngoài | Bên trong |
|---|