Linh kiện IGBT BSM150GB120DN2
Infineon BSM150GB120DN2, 62MM Module Series IGBT Module, 210 A max, 1200 V, Screw Mount
Nhà sản xuất: Infineon
Danh mục sản phẩm: Mô-đun IGBT
RoHS: Chi tiết
Sản phẩm: Mô-đun Silicon IGBT
Cấu hình: Half Bridge
Bộ thu - Điện áp phát VCEO Max: 1200 V
Điện áp bão hòa bộ thu-phát: 2,5 V
Bộ thu liên tục hiện tại ở 25 C: 210 A
Gate-Emitter Rò rỉ hiện tại: 320 nA
Pd - Công suất tiêu thụ: 1,25 kW
Gói / Trường hợp: Half Bridge2
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C
Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150 C
Bao bì: Khay
Thương hiệu: Infineon Technologies
Hàng tháo máy đang dùng tốt, đẹp như mới