Thông sốkỹ thuật sò 2SJ352 :
Thiết kế kiểu: 2SJ352 :
Loại Transistor: MOSFET
Loại điều khiển Kênh: P-Kênh
Công suất cực đại phân tán (Pd): 100 W
Nguồn áp suất nguồn tối đa | Vds |: 200 V
Điện áp nguồn cổng tối đa | Vgs |: 20 V
Dòng thoát tối đa | Id |: 8 A
Nhiệt độ Junction Tối đa (Tj): 150 ° C
Điện dung nguồn thoát nước (Cd): 1000 pF
Sức cản Drain-Source (Rds) tối đa: 1,4 Ohm
Gói: TO3P
Thông sốkỹ thuật sò 2SK2221
Thiết kế kiểu: 2SK2221 :
Loại Transistor: MOSFET
Loại điều khiển Kênh: N-Kênh
Công suất cực đại phân tán (Pd): 100 W
Nguồn áp suất nguồn tối đa | Vds |: 200 V
Điện áp nguồn cổng tối đa | Vgs |: 20 V
Dòng thoát tối đa | Id |: 8 A
Nhiệt độ Junction Tối đa (Tj): 150 ° C
Điện dung nguồn thoát nước (Cd): 800 pF
Sức cản Drain-Source (Rds) tối đa: 1,4 Ohm
Gói: TO3P